O que é a 3D V-NAND e de que modo difere da tecnologia existente?
A arquitetura de memória flash 3D V-NAND exclusiva e única da Samsung constitui um grande avanço, uma vez que superou as limitações de densidade, desempenho e resistência da atual arquitetura NAND planar convencional. A 3D V-NAND é fabricada empilhando 32 camadas de células verticalmente em vez de reduzir as dimensões das células e de tentar encaixá-las num espaço horizontal fixo, resultando numa densidade superior e num melhor desempenho num espaço menor.

Otimize a informática diária com a tecnologia TurboWrite para alcançar velocidades de leitura / escrita ímpares.
Alcance o desempenho mais avançado de leitura / escrita para maximizar a sua experiência informática diária com a tecnologia TurboWrite da Samsung. Não só obtém uma experiência de utilização 10% superior relativamente à 840 EVO*, como também velocidades de escrita aleatória até 1,9x mais rápidas para os modelos de 120 / 250 GB**. A 850EVO oferece o melhor desempenho da sua classe em termos de velocidades de leitura (540 MB/s) e escrita (520 MB/s) sequencial. Para além disso, também alcança um desempenho aleatório otimizado em todos os QD para o cenário de utilização de cliente PC.
*PCmark7 (250 GB): 6 700 (840 EVO) > 7 600 (850 EVO).
**Escrita aleatória (QD32, 120 GB): 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO).

Aumente a velocidade com o modo RAPID melhorado.
O software Magician da Samsung oferece o modo Rapid para alcançar velocidades de processamento de dados 2x mais rápidas* ao nível do sistema utilizando a memória do PC (DRAM) não utilizada como armazenamento cache. O Magician mais recente aumentou a utilização máxima da memória no modo Rapid de 1 GB, na versão 840 EVO anterior, para até 4 GB na versão 850 EVO ao implementar 16 GB de DRAM. Também se obtém um aumento do desempenho de 2x* em todas as profundidades da fila aleatórias.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7 500 > 15 000 (modo Rapid).

Resistência garantida e fiabilidade impulsionada pela tecnologia 3D V-NAND.
A 850 EVO oferece uma resistência e fiabilidade garantidas ao duplicar o valor de TBW* em comparação com a geração anterior de 840 EVO** apoiada por uma garantia de 5 anos líder da indústria. A 850 EVO, através da degradação do desempenho minimizada permite melhorias sustentadas do desempenho até 30% relativamente à 840 EVO, revelando-se um dos dispositivos de armazenamento mais fiáveis***.
*TBW: Total Bytes Written.
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB).
***Desempenho sustentável (250 GB): 3 300 IOPS (840 EVO) > 6 500 IOPS (850 EVO), Desempenho medido passadas 12 horas em teste de Escrita aleatória.

Prolongue a utilização graças à eficiência energética melhorada através de 3D V-NAND.
A 850 EVO oferece uma autonomia da bateria significativamente superior no seu computador portátil com um controlador otimizado para 3D V-NAND, que permite a suspensão do dispositivo eficiente a 2 mW. A 850 EVO é agora 25% mais energeticamente eficiente do que a 840 EVO nas operações de escrita* graças a 3D V-NAND, consumindo apenas metade da energia da solução 2D NAND planar.
*Potência (250 GB): 3,2 Watts (840 EVO) > 2,4 Watts (850 EVO).